[发明专利]一种半导体电容电压特性测试方法及电路在审
| 申请号： | 202011092488.7 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112269112A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈李胜;胡云峰;王昕;李俊生;叶灿明;黄文勇;孔文浩;余冲;常泽玺;文毅;陈卉;何志红;刘亮元;周李梦男;陈东伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广东中亿律师事务所 44277 | 代理人： | 杜海江 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体电容电压特性测试方法及电路，方法是基于利用PN结或肖特基势垒在反向偏置电压下的电容特性，得出待测半导体的杂质浓度及其分布信息，进而测试出电容电压特性；通过CPLD电路和MCU电路建立通讯，将测量得到的数据进行计算并显示出来，同时和电压以及电流表头进行通讯，得到表头测量的偏置电压值与漏电流值，而后将其传输至上位机。分析了测量系统的误差来源，对测量误差进行了补偿，减小了误差对测量结果的影响；此外，设置偏置电压源有效地解决了直流偏置电压的范围小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电容 电压 特性 测试 方法 电路 | ||
【主权项】：
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