[发明专利]一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011093170.0 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112186051B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 冯云龙 申请(专利权)人: 河北光森电子科技有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18;G01J1/42
代理公司: 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 代理人: 张名列
地址: 050000 河北省石家庄市*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明属于光探测器技术领域,具体涉及一种F‑β‑Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法,该制备方法的步骤包括:先用乙酸铜、硝酸镓和NaOH反应制得CuGaO2纳米片,然后以硝酸镓为Ga源,辅以NaF分别制备负载在CuGaO2纳米片上的F‑β‑Ga2O3/CuGaO2和纯的F‑β‑Ga2O3;然后将两张材料先后涂在叉指电极上并用热蒸发在薄膜上制备Au电极,得到F‑β‑Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器。本发明所述紫外光电探测器具备高的的光敏度和响应度,探测器响应速度快。
搜索关键词: 一种 ga2o3 cugao2 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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