[发明专利]一种F-β-Ga2O3/CuGaO2紫外光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 202011093170.0 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112186051B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 冯云龙 | 申请(专利权)人: | 河北光森电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 | 代理人: | 张名列 |
地址: | 050000 河北省石家庄市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: |
本发明属于光探测器技术领域,具体涉及一种F‑β‑Ga |
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搜索关键词: | 一种 ga2o3 cugao2 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的