[发明专利]电容的测量结构及测量方法有效
| 申请号： | 202011093598.5 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933546B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 汪小小;陈信全;李庆民 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容的测量结构及测量方法，包括至少一个第一测量结构和一个第二测量结构，第一测量结构包括在一半导体衬底的P阱的特定区域内形成的P型区、N型区及辅助N型区，所述N型区与所述P阱构成PN结，所述N型区与所述辅助N型区串联后与所述P型区分别通过第一互连结构引出以与第一探针卡连接；第二测量结构与第一测量结构具有相同的半导体衬底、P阱、P型区及辅助N型区，且第一互连结构和第二互连结构、第一探针卡和第二探针卡均相同。本发明在第一测量结构上增加一与N型区串联的辅助N型区，并通过设置第二测量结构形成条件对照，以排除互连结构的寄生电容和探针卡浮置的空针电容对PN结的结电容测量的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 测量 结构 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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