[发明专利]基于单细胞阵列的纳米电穿孔装置及其应用在审
申请号: | 202011093674.2 | 申请日: | 2020-10-13 |
公开(公告)号: | CN112226365A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 常凌乾;董再再 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C12M3/00 | 分类号: | C12M3/00;C12M1/42;C12N15/87;C12N13/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种基于单细胞阵列的纳米电穿孔装置及其应用,该基于单细胞阵列的纳米电穿孔装置包括:三维微纳米结构芯片,用于阵列化单细胞并提供用于分子传输的纳米通道;细胞培养室,位于所述三维微纳米结构芯片之上,用于细胞培养;生物分子储存室,位于所述三维微纳米结构芯片之下,用于生物分子的存储;位于所述细胞培养室上方的顶电极,以及位于所述生物分子储存室下方的底电极,用于电穿孔时形成回路。与传统的电穿孔方法相比,本公开采用的纳米电穿孔施加的电压小于50伏,电压大幅度降低,能够在维持细胞良好活性的前提下,同时具有递送高效、安全、高通量和均一性高的优势。 | ||
搜索关键词: | 基于 单细胞 阵列 纳米 穿孔 装置 及其 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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