[发明专利]一种硅控整流器及其制造方法在审
| 申请号： | 202011094759.2 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112510033A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8228 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅控整流器包括：N阱和P阱形成于P型半导体衬底上；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区形成于N阱上；第二高浓度N型掺杂区和第二高浓度P型掺杂形成于P阱上；第三高浓度P型掺杂区形成于N阱和P阱分界处上方，且与第二高浓度N型掺杂区邻接,第三高浓度P型掺杂区上表面形成有非金属硅化层；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区之间形成有第一宽度的N阱，第一高浓度N型掺杂区和第三高浓度P型掺杂区之间形成有第二宽度的N阱，第一高浓度N型掺杂区宽度为第三宽度，第三高浓度P型掺杂区宽度为第四宽度。本发明还公开了一种硅控整流器制造方法。本发明降低了寄生NPN三极管的电流增益,进而能减小实现无回滞效应所需保护环宽度，因此能节省版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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