[发明专利]一种晶圆劈裂扩片装置及晶圆裂片扩片方法在审
申请号: | 202011095834.7 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112201600A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 杨顺凯;张昆鹏;易飞跃;李纪东;张紫辰;侯煜;李曼;张喆;王然 | 申请(专利权)人: | 北京中科镭特电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
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地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆劈裂扩片装置及晶圆裂片扩片方法,装置包括晶圆定位机构、裂片机构、扩片机构、视觉检测单元和控制器,球形劈裂头将晶圆顶起分离晶粒,提供圆形套环、螺旋或扫描步进直线裂片轨迹,满足不同切割道的要求或特殊裂片要求;裂片后进行扩片工艺,控制外环升起,外环带动晶圆膜上升并拉伸,使裂片后晶粒分开;避免裂片完成后的晶粒因膜收缩而产生碰撞碎裂崩边,减少工艺步骤,提高生产效率同时最好的保护晶粒,提高成品率。可选用不同半径的裂片头,满足不同晶粒的大小,且压力均匀,不易产生崩边等缺陷;此外,装置由软件自动根据切割道长度选择裂片头,提高了加工效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 劈裂 装置 裂片 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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