[发明专利]MIM电容的形成方法有效
| 申请号： | 202011096881.3 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112259520B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨宏旭;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MIM电容的形成方法，包括：在第一介质层上的第一目标区域覆盖光阻，第一介质层形成于MIM电容薄膜上，MIM电容薄膜形成于第二介质层上，第二介质层形成于介质阻挡层上，介质阻挡层形成于层间介质层上，MIM电容薄膜从下至上依次包括底部电极层、电容介质层和顶部电极层；进行刻蚀，去除除第一目标区域以外的其它区域的第一介质层和顶部电极层，刻蚀至其它区域的电容介质层的目标深度；去除光阻，沉积电容介质；在第二目标区域覆盖光阻，第二目标区域覆盖第一目标区域且大于第一目标区域；进行刻蚀，去除除第二目标区域以外的其它区域的底部电极层，刻蚀至其它区域的第二介质层的目标深度；去除光阻，沉积第三介质层。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
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