[发明专利]半导体器件的制备方法及制备装置在审
| 申请号： | 202011098039.3 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112234067A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 邱宇渊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法及制备装置。半导体器件的制备方法包括：提供独立设置的刻蚀腔室与加热腔室；将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀；将刻蚀后的所述半导体器件输送至所述加热腔室内进行加热。本发明解决了在半导体器件刻蚀结束后，通过加热模块对刻蚀腔室进行升温，而升温过程将会浪费大量的时间，导致半导体器件的生产效率较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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