[发明专利]一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202011098760.2 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112151621A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 田李庄 | 申请（专利权）人： | 济南新芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 山东明宇知信知识产权代理事务所(普通合伙) 37329 | 代理人： | 钟文强 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大电流低漏电碳化硅二极管芯片及其制作方法，由下至上依次叠设背面电极、衬底、N‑型外延层、P+型外延层和正面电极，背面电极、衬底和N‑型外延层的规格相一致，三者相贴覆叠置，P+型外延层规格小于N‑型外延层规格，P+型外延层位于N‑型外延层的中间位置，P+型外延层的外周露出N‑型外延层形成N结构区域，正面电极的规格小于P+型外延层的规格，N结构区域由下至上依次覆盖钝化层、覆聚酰亚胺层。本发明利用碳化硅双层外延方法和等离子刻蚀方法实现，避免了离子注入产生的缺陷。本二极管芯片的尺寸可以做很大，实现100A以上产品制作。同时还具有操作简单、生产效率高、可靠性好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 漏电 碳化硅 二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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