[发明专利]一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法有效
| 申请号： | 202011099076.6 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112232007B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 贺朝会;李洋;郭亚鑫;李永宏;廖文龙 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/33;G06F30/327;G06F115/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子学系统总剂量效应的系统级仿真方法，利用电子学系统内部不同芯片的电路模型及IBIS模型，通过仿真和实验的手段确定总剂量效应对每个模型单独的影响，之后将各个子模型的总剂量效应模型连接起来得到整个电子学系统在总剂量效应下的完整模型，给定输入信号即可得到整个电子学系统在总剂量效应影响下的输出响应。本方法在Verilog‑AMS模型、Verilog模型、SPICE模型以及IBIS模型的基础上都根据总剂量效应的影响进行了修正，同时利用MATLAB或Python实现了子模块之间数据的转换和传递，将各个模型耦合起来形成一个完整的电子学系统模型，实现了系统级的总剂量效应的模拟仿真。同时还编写了单个模块以及整个系统的故障评价程序，用于研究总剂量效应影响的规律。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子学 系统 剂量 效应 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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