[发明专利]单光子探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202011101934.6 申请日: 2020-10-15
公开(公告)号: CN112229510B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 张伟君;熊佳敏;尤立星;王镇;谢晓明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01J1/44 分类号: G01J1/44;B82Y15/00;B82Y40/00
代理公司: 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 代理人: 钱文斌
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种单光子探测器及制备方法,包括:衬底及形成于所述衬底上的超导线,所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部;其中,所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度),从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”,但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平,拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈,从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。
搜索关键词: 光子 探测器 制备 方法
【主权项】:
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