[发明专利]一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法有效
| 申请号： | 202011101993.3 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112434400B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/30;G06F17/15 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 电压 干扰 传导 路径 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
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