[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202011102693.7 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114373861A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李国兴;林俊贤;薛胜元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括基底、第一内连接层以及第二内连接层。第一内连接层设置在基底上，第一内连接层包括第一介电层环绕多个第一磁隧穿结结构。第二内连接层设置在第一内连接层上，第二内连接层包括第二介电层环绕多个第二磁隧穿结结构，第二磁隧穿结结构以及第一磁隧穿结结构相互交替地沿着一方向排列。半导体装置可在制作工艺空间许可的前提下，获得缩小化的位单元尺寸进而提高元件集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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