[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011103380.3 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112750824A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;周智超;蓝文廷;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体装置，其包含在外延源极/漏极区和半导体基底之间形成的隔离层的纳米结构场效晶体管及其形成方法。在一实施例中，半导体装置包含电源导轨，在电源导轨上方的介电层，在介电层上方的第一通道区，在第一通道区上方的第二通道区，在第一通道区和第二通道区上方的栅极堆叠，其中栅极堆叠更设置在第一通道区和第二通道区之间，以及邻近栅极堆叠并电连接到电源导轨的第一源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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