[发明专利]具有石墨烯栅层的透射式NEA GaAs光电阴极

摘要

本发明公开了一种具有石墨烯栅层的透射式NEA GaAs光电阴极，包括透过式NEA GaAs光电阴极内芯与真空腔体外壳两部分。其中透过式NEA GaAs光电阴极内芯结构包括自上而下依次设置的Si3N4增透层、GaAlAs缓冲层、GaAs发射层、Cs‑O激活层以及高质量石墨烯栅层；真空腔体外壳由Corning 7056#玻璃，铟封填料、可伐金属与陶瓷腔体组成。本发明在传统NEA光电阴极结构基础上增加具备良好电性能的悬浮石墨烯栅层，可以使光电阴极在维持较高量子效率的情况下，延长阴极使用寿命并增强其结构稳定性。