[发明专利]一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法有效
| 申请号： | 202011104786.3 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112376114B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张忠伟;徐秋峰;张鸿;陈晓强;张坚;顾建生 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B33/00;C30B29/30 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 李嘉宁 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体单畴化方法，包括以下步骤：a)将钽酸锂晶体放于高温炉内，升温至1350℃，保温4h，完成晶体退火，降至常温；b)将碳酸锂原料粉末、粘结剂按1：0.8～1：1的比例混合制成极化浆液，涂抹于退火完钽酸锂晶体的极化两端，再把极化用黄金丝埋于极化浆液内，迅速烘干，制成极化晶帽；c)将退火完的钽酸锂晶体按50‑60℃/h的升温速率升温，并使用电阻测试仪记录钽酸锂晶体电阻变化，当温度超过600℃，电阻变化速率变小，达到2Ω/10℃时，暂停升温，PLC施加电流对钽酸锂晶体进行极化操作，当极化电流达到要求值时，停止加电流，保温4h，按50‑60℃/h的降温，当温度低于600℃时，关闭极化电流，继续降至常温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 钽酸锂 晶体 单畴化 方法 | ||
【主权项】：
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