[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202011104805.2 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112750909A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 朱熙甯;陈冠霖;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 此处公开半导体装置与半导体装置的形成方法，更特别关于含有全绕式栅极晶体管结构的半导体装置与其制造方法。此处所述的方法可将复合形状(如L形)蚀刻成多层堆叠，以形成全绕式栅极纳米结构晶体管结构的主动区所用的鳍状物。在一些实施例中，主动区可具有第一通道宽度与第一宽度的第一源极/漏极区，以及第二通道宽度与小于第一宽度的第二宽度的第二源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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