[发明专利]一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法有效
| 申请号： | 202011104826.4 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112232008B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;黄亿;席磊 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 吴思高 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法，该描述模型为对PN结结电容偏置电压的分数阶模型 |
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| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 特性 参数 描述 模型 辨识 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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