[发明专利]一种半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011106407.4 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112018073B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张国伟;周儒领;吴佳特 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；导线层，位于所述基板上；介质层，位于所述导线层上；沟槽，位于所述介质层中，所述沟槽的底端连接所述导线层，所述沟槽的侧壁具有倾斜角度；阻挡层，位于所述介质层和所述沟槽底端的所述导线层上；金属层，位于所述沟槽内和所述阻挡层上；多个保护层，位于所述金属层上；通孔，位于所述多个保护层中。本发明能有效改善所述通孔的侧壁会有杂质残留的情况，从而，在晶圆电性测试时，能有效降低对探针的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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