[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202011106699.1 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112018037B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈明睿;柯天麒;詹奕鹏;鲍贤贤;郭千琦 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极、源极及漏极，然后在半导体衬底上形成层间介质层，并刻蚀层间介质层形成接触孔，其中，连通漏极的接触孔呈条形，连续暴露至少部分的漏极，连通栅极、源极的接触孔呈点状，间断地暴露至少部分的栅极、源极，然后向所述层间介质层倾斜注入离子，以保证至少一个方向的离子通过接触孔注入到漏极形成离子注入区。本发明通过层间介质层中的接触孔进行离子注入以实现ESD保护，相比现有技术在层间介质层之前先在漏极做一道黄光定义离子注入区，本发明减少了一步光罩工艺，节省了工艺成本，且简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
