[发明专利]含氮化镓/氧化镓纳米柱阵列的自供电探测器及制备方法有效
申请号: | 202011107111.4 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112382691B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 尹以安;李佳霖 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 广州专理知识产权代理事务所(普通合伙) 44493 | 代理人: | 张凤 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于光电探测器的技术领域,具体涉及一种含氮化镓/氧化镓纳米柱阵列的自供电探测器及制备方法。所述探测器的结构为依次排布的电极、柔性衬底、p型氮化镓层、β‑氧化镓纳米柱阵列以及电极,所述填充层包裹β‑氧化镓纳米柱阵列的侧面,用于填充β‑氧化镓纳米柱阵列,所述β‑氧化镓纳米柱阵列以及电极之间还包括石墨烯透明电极。本发明以氮化镓/氧化镓纳米柱阵列组成的异质结为器件核心,在氮化镓薄膜上制备氧化镓纳米阵列,氧化镓与氮化镓之间的界面处存在小的晶格失配和低的导带偏移,可以进一步提供高光电探测器的性能,且无需外接电源即可驱使探测器工作,进一步扩大探测器的使用范围,在日盲紫外探测领域有着潜在的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 氮化 氧化 纳米 阵列 供电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学,未经华南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011107111.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的