[发明专利]用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法有效
| 申请号： | 202011107899.9 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112680228B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 崔正敏;张俊英;金贤贞;文炯朗;李智惠;韩权愚;黄基煜 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 蚀刻 组合 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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