[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011107929.6 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112993028A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 丁秀真;金钟燮;金俊溶;朴永焕;朴俊赫;申东澈;吴在浚;黄瑄珪;黄仁俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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