[发明专利]SRAM通用测速电路在审
| 申请号： | 202011108516.X | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112185455A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;曾永红;晋超超;徐艺轩 | 申请（专利权）人： | 天津津航计算技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 周恒 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于SRAM存储硬件系统技术领域，具体涉及一种SRAM通用测速电路。所述SRAM通用测速电路包括：SRAM读操作测速模块、SRAM写操作测速模块、SRAM读写速度综合模块和总线接口模块；为了解决硬件系统在适配不同型号的SRAM时无法自动识别SRAM的最大读写速度而导致的无法发挥SRAM最佳性能的问题。该电路通过对SRAM读写速度采用特定算法进行多次试探性采样确定SRAM的读写速度。该电路可以通过硬件实现模块化并嵌入到硬件电路系统中，使系统具备自动识别SRAM读写速度的功能，在系统更换SRAM后不用更改系统代码和状态，提高了系统的兼容性、易用性和可维护性，具有十分重要的应用意义。 | ||
| 搜索关键词： | sram 通用 测速 电路 | ||
【主权项】：
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