[发明专利]沉积系统的使用方法在审
| 申请号： | 202011108659.0 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN113106415A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄健治;许芸瑄;倪懿池;吴志毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/505 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 揭露一种沉积系统的使用方法，包含将晶圆装载到处理腔室中的方法，其中处理腔室被线圈缠绕，且线圈接至射频系统；将芳香烃前驱物供应到处理腔室中；在供应芳香烃前驱物之后，开启射频系统的射频功率，以将芳香烃前驱物分解成活性自由基并在晶圆的金属层之上将活性自由基环化成石墨烯层，在整个金属层被石墨烯层覆盖后，关闭射频系统的射频功率以停止形成石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 系统 使用方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
