[发明专利]基于苯并二噻吩的有机小分子空穴传输材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011108851.X | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112142758A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张余宝;宫动飞;阳敏;任福梦 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;H01L51/46 |
| 代理公司： | 深圳市智旭鼎浩知识产权代理事务所(普通合伙) 44746 | 代理人： | 周超 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于苯并二噻吩的有机小分子空穴传输材料及其制备方法和应用，该空穴传输材料是以苯并二噻吩作为分子核心，具有很好的光电效应；在分子上引入少量烷基链，便可改善材料的有机溶剂溶解性及疏水性，从而改善电池的稳定性；加以卤素原子的修饰，得到更好的载流子迁移率；引入共轭性质的基团拓宽分子共轭体系，可以调节能级；这种特殊的分子设计可以有效调节苯并噻吩类衍生物结晶度，使材料兼顾溶解性和空穴传输性能，提高器件的光电转换效率及电流密度；而且该材料的合成较之Spiro‑OMe TAD更为简单，造价更低，稳定性更高。该空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，可以改善器件的稳定性,提高电流密度及高光电转化率，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 噻吩 有机 分子 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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