[发明专利]一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法有效
| 申请号： | 202011109387.6 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112147480B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 孔武斌;涂钧耀;刘恒阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种抑制串扰的碳化硅MOSFET桥臂电路及设计方法，属于电力电子电路技术领域。包括两组RC缓冲电路：用于减少上管Q |
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| 搜索关键词： | 一种 抑制 碳化硅 mosfet 电路 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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