[发明专利]单根Rh@ZnO微米线异质结紫外增强发光二极管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011109833.3 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112234127A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐海英;缪长宗;姜明明;阚彩侠 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/40;H01L33/00;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京灿烂知识产权代理有限公司 32356 | 代理人： | 赵丽 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单根Rh@ZnO微米线异质结紫外增强发光二极管，包括p‑GaN衬底(1)，所述p‑GaN衬底(1)的上表面一侧蒸镀Ni/Au电极(3)，所述p‑GaN衬底(1)的上表面另一侧放置有n‑Rh@ZnO单根微米线(2)，所述n‑Rh@ZnO单根微米线(2)的上表面覆盖有ITO导电电极(4)。本发明还公开了上述发光二极管的制备方法及其应用。本发明的n‑Rh@ZnO单根微米线与p‑GaN衬底形成有效的异质结结构，异质结的I‑V特性显示整流二极管的特性，在正向偏压下，单根Rh@ZnO微米线异质结呈现出高效稳定的紫外发光，实现了增强紫外发光二极管，促进了其在紫外光源领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | rh zno 微米 线异质结 紫外 增强 发光二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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