[发明专利]功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011112031.8 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112271218A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 高秀秀;李诚瞻;齐放;戴小平 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法，该功率半导体器件包括设置于所述外延层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的过渡区；所述有源区包括若干间隔设置于所述外延层表面内的第二导电类型阱区、设置于所述阱区表面内的沟槽、位于所述阱区表面内且位于所述沟槽两侧的第一导电类型源区和位于所述阱区内且位于所述沟槽下方的第二导电类型短路区；其中，所述阱区底部于所述沟槽的对应位置设置有凹陷结构。通过在阱区底部于沟槽的对应位置形成凹陷结构，使得雪崩击穿位置由终端区转移至面积更大的有源区，增加了散热面积，且雪崩电流路径避开了寄生npn晶体管基区，缩短了雪崩电流路径，减少了热量的产生，提高了雪崩耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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