[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备在审
| 申请号： | 202011112385.2 | 申请日： | 2011-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN112289673A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | X·王;A·恩盖耶;C·李;X·何;M·沈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF |
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| 搜索关键词： | 用以 降低 等离子体 蚀刻 中的 粒子 缺陷 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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