[发明专利]一种多孔铜基晶须材料在审
| 申请号： | 202011113774.7 | 申请日： | 2020-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN112126984A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 左海珍 | 申请（专利权）人： | 左海珍 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/02;C30B1/00;B22F3/11;C23C14/06;C23C14/28;C23F1/36;C25F3/04;B01J32/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 014040 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高比表面积铜晶须材料，通过化学‑电化学腐蚀去合金的方法获得高比表面积多孔铜，然后通过脉冲激光烧灼硫化钨的方法，在多孔的表面获得硫化钨层，并通过改善高温还原过程的时间和温度，有效控制铜晶须在多孔铜表面的原位生长的速度和尺寸，而获得高比表面积铜晶须材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 铜基晶须 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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