[发明专利]一种级联式去耦芯片在审
| 申请号： | 202011117293.3 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112510366A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赵鲁豫;刘洋 | 申请（专利权）人： | 西安朗普达通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52;H01L27/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市沣东新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种级联式去耦芯片，包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元；所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环，所述金属开口谐振环为回字形，其内圈与外圈螺旋相接，四个呈田字分布的金属开口谐振环共用相邻外圈，四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上；所述高频去耦单元包括一个方形谐振环，设置在低频去耦单元正下方。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环，等效成LC电路，并通过低温共烧陶瓷技术，集成芯片，该芯片在一定的频带内产生单负特性，用于天线之间去耦，同时由于在芯片上加载低频和高频两个去耦单元，实现双频段去耦。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 级联 式去耦 芯片 | ||
【主权项】：
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