[发明专利]一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法在审
| 申请号： | 202011118002.2 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112259455A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 唐红梅;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法。本发明涉及一种半导体钝化技术领域，尤其涉及一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法。提供了一种改善湿法金属腐蚀残留异常的一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法。本发明TiAlNiAg比现有技术TiNiAg更好腐蚀，金属残留主要是Ni残留，残留的Ni氧化导致腐蚀较难，NiAg腐蚀后即使有少量Ni残留，在后续腐蚀Al的过程中也能将Ni去除干净，TiNiAg中在腐蚀Ti的时候不能将Ni腐蚀掉。本发明具有改善湿法金属腐蚀残留异常，提高产品合格率和外观质量等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 钝化 结构 ag 产品 金属 残留 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司，未经扬州扬杰电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011118002.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
