[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011119773.3 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112259544B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 高庭庭;薛磊;刘小欣;耿万波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，通过将一个存储串分成多个子存储串，每个子存储串都有独立的子沟道层，同时将多个存储串在第一横向排成位于两条栅线缝隙之间的多行，使一条位线连接两个子存储串，然后通过顶部选择栅沟槽将所述两个子存储串隔开，使一条位线可以单独控制一个子存储串，从而提升半导体器件的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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