[发明专利]光子晶体SiGe/Si光敏晶体管探测器

摘要

光子晶体SiGe/Si光敏晶体管探测器属于半导体光电子领域，是更高效的红外波段探测器。该光子晶体SiGe/Si光敏晶体管探测器包括Si衬底、在Si衬底上依次制备出的SiO2 BOX层、Si亚集电区、Si集电区、SiGe基区、多晶硅发射区及光子晶体结构。光窗口设计在发射区台面且光从顶端垂直多晶硅发射区上表面入射，Si集电区、SiGe基区、多晶硅发射区为吸收层，光子晶体结构制作在吸收层中。通过调整光子晶体中空气孔的直径、深度、排布周期和排布形式，使其产生的光子带隙位于红外波段，在红外波段产生准陷光效应，将入射光限制在空气孔中，并且向空气孔周围泄露，使SiGe/Si光敏晶体管的吸收层从垂直方向的吸收层转化为水平方向的长吸收路径，从而提高SiGe/Si光敏晶体管的在红外波段的光吸收效率。