[发明专利]一种单层单晶MoS2 有效
| 申请号： | 202011120694.4 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112210829B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周生学;焦丽颖 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种大面积(本文定义为边长300μm以上)MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 mos base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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