[发明专利]改善电极板接触应力的MIM电容有效
| 申请号： | 202011121177.9 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112259521B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 杨宏旭;刘俊文;牛忠彩 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种改善电极板接触应力的MIM电容。所述改善电极板接触应力的MIM电容形成于介质阻挡层上，包括：第一TaN导电层，所述第一TaN导电层位于所述介质阻挡层上，形成所述MIM电容的下极板；第二TaN导电层，所述第二TaN导电层位于所述第一TaN导电层上，形成所述MIM电容的上极板；介质层，所述介质层位于所述第一TaN导电层和所述第二TaN导电层之间；应力缓冲层，所述应力缓冲层包括相对的上表面和下表面，所述上表面与所述第一TaN导电层接触，所述下表面与所述介质阻挡层接触。可以解决相关技术中材料为TaN的下金属电极在与介质阻挡层接触时，出现应力不匹配，导致下金属电极发生剥落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 极板 接触应力 mim 电容 | ||
【主权项】：
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