[发明专利]一类n型有机半导体材料及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202011123013.X 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112375212A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 应磊;彭沣;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;C07D513/00;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 饶周全
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一类卤代n型有机聚合物半导体材料及其制备方法与应用。本发明在溴代的电子受体‑电子给体‑电子受体(A‑D‑A)型n型小分子中引入氟或者氯原子,进一步通过缩聚反应制备卤代n型有机聚合物半导体材料。卤素原子的引入可以使吸收光谱红移、提高吸收系数和电子迁移率,具有更好的光电转换效率。此类卤代n型有机聚合物半导体材料可作为活性层,应用在有机/聚合物光电探测器和有机/聚合物太阳电池等有机/聚合物电子器件中。
搜索关键词: 一类 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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