[发明专利]半导体装置和电容传感器装置在审
申请号: | 202011123651.1 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112748289A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 大塚雅之 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;G01R27/02;H01L23/544 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘书航;闫小龙 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了半导体装置和电容传感器装置。本发明提供一种即使在作为根据环境变化而静电电容变化的电容器使用了静电电容大的电容器的情况下也能够抑制消耗电流的增大地检测该静电电容的变化的半导体装置和电容传感器装置。具有:第一电极焊盘和第二电极焊盘,该第一电极焊盘和第二电极焊盘用于各自外部连接根据环境变化而静电电容变化的传感器电容器的两个电极;两个电极中的一个电极被连接到第一电极焊盘的电容器;具有基准静电电容的电容电路;以及判定电路,其包括第一中继端子和第二中继端子,从第一中继端子送出充电电流并供给到电容器的另一个电极,并且从第二中继端子送出充电电流并供给到电容电路,接下来判定第一中继端子的电位是否大于第二中继端子的电位,由此检测传感器电容器的静电电容是否发生了变化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电容 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉碧斯半导体株式会社,未经拉碧斯半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011123651.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。