[发明专利]一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管有效
| 申请号： | 202011123996.7 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112201694B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 胡月;丁怡;张惠婷;程瑜华;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学温州研究院有限公司;杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 黄前泽 |
| 地址： | 325024 浙江省温州市龙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管，埋氧层位于衬底层上方；硅膜层位于埋氧层上方；硅膜层包括硅体、源区、氧化沟槽、漂移区和漏区；硅体和漏区分设在硅膜层顶部两侧；源区处于硅体的凹槽处；氧化沟槽呈半椭圆形状，顶点位于硅膜层上表面；漂移区为硅膜层中除源区、硅体、氧化沟槽和漏区以外的所有区域；沟道由源区靠近漏区的那个侧面和漂移区之间硅体提供；源电极位于硅体和源区上方，覆盖部分硅体和源区；栅氧化层位于沟道上方，完全覆盖沟道；栅电极完全覆盖栅氧化层；扩展氧化层位于硅膜层上方，且与栅氧化层贴紧；漏电极完全覆盖漏区，且与扩展氧化层贴紧。本发明的击穿电压得到显著提升，器件性能品质因素更加优越。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 椭圆 氧化 沟槽 ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
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