[发明专利]一种基于温度均匀性的激光选区熔化实时路径规划方法有效
申请号: | 202011124084.1 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112427655B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 张李超;胡祺;史玉升;陈楠 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | B22F10/85 | 分类号: | B22F10/85;B22F10/31;B22F10/28;B33Y10/00;B33Y50/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 孔娜;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于増材制造相关技术领域,更具体地,涉及一种基于温度均匀性的激光选区熔化实时路径规划方法。该方法包括步骤:S1对于单个待成形切片层,将该待成形切片层内划分为多个区域,选取初始成形区域;S2对于下一个待成形区域的确定,按照下列方式进行:测量每个未成形区域的温度以及与上一个已经成形区域之间的距离,利用每个未成形区域的温度和距离值构建温度均匀因子的关系式,并计算温度均匀因子,根据温度均匀因子选取其中下一个待成形区域;S3重复步骤S2,直至确定待成形切片层内所有区域的成形。通过本发明,实现对成形路径的实时规划,避免单独根据温度或距离确定下一个待成形区域带来的热应力集中问题,成形精度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 温度 均匀 激光 选区 熔化 实时 路径 规划 方法 | ||
【主权项】:
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