[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 202011124110.0 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113299331A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 金宗佑;卢由钟 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。外围电路被配置为对存储器单元阵列执行编程操作。控制逻辑被配置为控制由外围电路执行的编程操作。所述多个存储块中的每一个存储块联接到与该存储块对应的漏极选择线、多条字线以及第一源极选择线和第二源极选择线。在对所述多个存储块当中的被选为编程目标的第一存储块执行的编程操作期间，控制逻辑控制外围电路以使得所述多个存储块当中的未被选为编程目标的第二存储块的第一源极选择线浮置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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