[发明专利]一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202011125570.5 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112210753B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 王海新;王立平;蒲吉斌;史彦斌;郭武明 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王茹;王锋
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼掺银的硫化薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/银/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/银掺杂硫化层。所述制备方法包括:采用磁控溅射技术,在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/银/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/银掺杂硫化层,之后在真空惰性气氛中,对所获复合薄膜进行高温硫化处理,获得所述二硫化钼掺银的硫化薄膜。本发明的高温硫气氛退火处理的二硫化钼银复合薄膜在真空和大气环境下均具有良好的摩擦磨损性能,大气环境下薄膜的润滑性能得到进一步改善,能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。
搜索关键词: 一种 二硫化钼 硫化 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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