[发明专利]一种电路级总剂量辐射效应仿真方法有效
| 申请号： | 202011125626.7 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112214953B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郑齐文;崔江维;李小龙;魏莹;余学峰;李豫东;郭旗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/36 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电路 剂量 辐射 效应 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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