[发明专利]PMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源有效

专利信息
申请号: 202011125773.4 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN111969838B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 李瑞平;池伟;刘彬;吕战辉 申请(专利权)人: 上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/157
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 徐晶晶
地址: 210044 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种PMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源,通过给箝位电源外接一个储能电容,让箝位电源以小电流给储能电容充电,在需要开启PMOS功率管时,短时间内用储能电容内的电量给栅源极寄生电容充电,这样箝位电源电路可以实现通过小电流输出快速给大的栅源极寄生电容充电的目的。通过快速开启与关闭功率管,解决PMOS功率管应用于开关电源芯片内的开启与关断损耗大,同时将栅极电压与源极电压之间的压差控制在‑9V,进一步降低PMOS管导通损耗。
搜索关键词: pmos 功率管 栅极 箝位 驱动 模块 电路 开关电源
【主权项】:
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