[发明专利]一种低成本高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金有效
申请号: | 202011127038.7 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112159919B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 刘莉滋;王辉;苏丽旭;何湧;陈先华;潘复生 | 申请(专利权)人: | 重庆三峡学院 |
主分类号: | C22C23/04 | 分类号: | C22C23/04;C22C1/03;C22F1/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 404130 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供了一种低成本高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金,该合金的成分包含Mg、Zn、Ce、Cu,各组分质量百分含量为:Zn:1.5~2.0 wt.%;Ce:0.2~0.8 wt.%;Cu:0.4~0.6 wt.%,其余为Mg和不可避免的杂质。除镁以外的合金元素总量不超过3.4 wt.%,显著降低镁合金的制备成本。Ce、Cu与Zn形成第二相,降低Zn在镁基体的固溶度,提高电导率,显著增加电磁屏蔽性能,较普通商用Mg‑Zn‑Zr镁合金的电磁屏蔽效能提高22dB,可媲美含大量Cu的高导电高电磁屏蔽Mg‑Zn‑Cu‑Zr镁合金,有效扩展了镁合金在高端领域的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 低成本 导电 电磁 屏蔽 性能 变形 镁合金 | ||
【主权项】:
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