[发明专利]一种氧化铌选通管有效
| 申请号： | 202011127677.3 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112289929B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 杨高琦 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括氧化镁介质层的氧化铌选通管，属于存储器技术领域；现有的选通管存在串扰和集成度不高等问题。本发明的选通管包括：底电极，氧化镁介质层，氧化铌功能层和顶电极；该选通管提高了性能，同时能承受更高的低阻态电流，提高了器件的开态电流密度，此外与主流的微电子加工工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铌选通管 | ||
【主权项】：
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