[发明专利]图像传感器形成方法及图像传感器

摘要

本发明提供一种图像传感器形成方法及图像传感器，所述图像传感器形成方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置形成侧向PN结构；于所述侧向PN结构上表面，选择性生长P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。本发明通过采用选择性外延工艺形成钉扎层，省去了离子注入工序，减少因离子注入工艺对光电二极管表面的破坏而产生的缺陷，节省了工艺步骤，并提高晶圆级图像传感器制备的光性能均匀性，减少噪点；通过将栅极结构部分覆盖钉扎层的设计，形成侧向寄生电场，增强开关特性。