[发明专利]一种避免基板上阴极断裂的制程方法在审
| 申请号： | 202011129447.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259704A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 崔胜胜 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人： | 王肖林 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市长江大桥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种避免基板上阴极断裂的制程方法，包括：在带有CMOS电路的硅基晶圆上铺设用于形成PDL层的成膜得到第一基板；在第一基板的硅基晶圆上涂敷光刻胶后将已涂敷光刻胶的硅基晶圆进行曝光显影得到第二基板；对第二基板的硅基晶圆进行干法蚀刻得到包含有PDL层和曝光显影后光刻胶的第三基板；将第三基板上的曝光显影后的光刻胶清洗去除得到第四基板；对第四基板进行阳极镀膜得到第五基板；对第五基板进行研磨，以去除PDL层上的阳极镀膜，以使得处于PDL层间隙中的阳极镀膜与PDL层高度相同。该避免基板上阴极断裂的制程方法缩短工艺流程并避免阴极断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 基板上 阴极 断裂 方法 | ||
【主权项】：
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