[发明专利]半导体器件的刻蚀方法及刻蚀装置在审
| 申请号： | 202011133166.2 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259550A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘隆冬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的刻蚀方法及刻蚀装置。半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供反应室，其中，反应室内设有上电极以及与上电极相对设置的下电极，上电极包括第一部分；将半导体器件输送至反应室内，其中，半导体器件位于下电极上，上电极的第一部分在下电极的投影覆盖半导体器件在下电极的投影；控制上电极与下电极之间产生电压差以在反应室内产生等离子体，等离子体用于对半导体器件进行刻蚀，其中，第一部分包括多个工作区域，每个工作区域的温度独立控制。本发明解决了半导体器件上沟道孔区的部分沟道孔出现较小和刻蚀不足的现象，影响沟道孔的贯通性与圆度，影响整体沟道孔的均匀性，进而影响三维存储器的电性能的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 刻蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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